OH12AF-L 霍尔元件
锑化铟（InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成，以霍尔效应为工作原理，可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。典型应用检测磁性物质的旋转或者位置（用在无刷直流电机，无触点开关）检测磁场（如无接触电流传感器等）。输入/输出电阻：240至550Ω @ I=0.1mA，Vin＝1V，B＝500G（恒定电压），输出电压：123至320mV：C级：168至204mV，D级：196至236mV , E 级：228 ~ 274mV F 级：228 ~ 274mV
| 产品型号 | OH12AF, OH12AF-L, OH12B |
|---|---|
| 输出电流 (mA) | 20mA |
| 输出类型 | 模拟输出 |
| 响应磁极 | N/S |
| 输出霍尔电压 (VH) | 168 to 274 mV, 196 to 320 mV |
| 输入电阻 | 240 to 550 Ω |
| 输出电阻 | 240 to 550 Ω |
| 偏置电压 | -7 to +7 mV |
| 工作温度 (°C) | -40 to 120 ℃ |
| 封装外型 | SOT143,b背面编带, SOT143,正面编带, SOT143直腿, 直插 |
| 可替换 | HW101A, HW101A-4T, HW302B, HW322B-15E, NH520, NH520R, NH520SR, NHE313 |
OH12AF-L霍尔元件
1. 订购信息
产品编号: OH12AF-L, 也称为SH12AF-L
工作温度: -40～120℃
等级包: F (266 ~ 320mV), E (228 ~ 274mV)
封装: SOT143, 3000 pcs/reel
2. 最大额定值 (Ta=25℃)
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 最大输入电流 | Imax | 20 (at 25℃) | mA |
| 最大功耗 | Pmax | 150 (at 25℃) | mW |
| 工作温度范围 | Top | －40 ~ ＋120 | ℃ |
| 储存温度范围 | Tst | －40 ~ ＋150 | ℃ |
3. 电气特性 (在25℃下测量)
| 参数 | 符号 | 测量条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 输出霍尔电压 | VH | Vin＝1V, B＝500G | 196 | 320 | mV |
| 输入电阻 | Rin | I＝0.1mA | 240 | 550 | Ω |
| 输出电阻 | Rout | I＝0.1mA | 240 | 550 | Ω |
| 偏移电压 | VO | Vin＝1V, B＝0G | －7 | ＋7 | mV |
| 霍尔电压温度系数 | α | Ta＝0 ~ ＋40℃ AVG. | - | －1.8 | % /℃ |
| 输入电阻和输出电阻温度系数 | β | Ta＝0 ~ ＋40℃ AVG. | - | －1.8 | % /℃ |
4. 输出霍尔电压的等级分类和标记
输出霍尔电压, VH (mV)
- 等级: D •SD (196 ~ 236)
- 等级: E •SE (228 ~ 274)
- 等级: F •SF (266 ~ 320)
如果没有特别要求，我们通常提供RANK F产品。
5. 安装方法
5.1 引线框架
- 引线框架材料为磷青铜合金，模压表面镀银，镀层最小厚度为3.0㎛。
- 引线框架镀纯锡，厚度控制在4~12㎛。
5.2 PCB焊接条件
- 不允许快速加热和冷却。
- 推荐预热条件为150～190℃，持续2～3分钟。
- 推荐回流条件为220～260℃，持续10～20秒。
5.3 焊接方法和温度
| 项目 | 方法 | 温度 |
|---|---|---|
| 回流焊 | 通过加热区 | 最大260℃，10秒 |
| 烙铁焊接 | 使用烙铁 | 最大350℃，3秒 |
6. 包装
6.1 贴带
- OH12AF-L(正向贴带)应将标记面朝下放入载带，并将长边朝运行方向。180°旋转对应用无影响。
- 至少在带的前后两侧各有40mm的空闲部分。
6.2 贴带处理方法
- 拉力(F) = 20∼70g
- 当带弯曲15mm曲率时，器件不应从口袋中跑出。
- 器件不应粘在覆盖带上。
- 器件应保持在40℃以下，湿度80%以下，并在阴凉处存放。
- 带子无接头。
